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晶體諧振器時鐘振蕩器壓控振蕩器溫補振蕩器恒溫振蕩器晶體濾波器 QCM晶體

振蕩回路的穩定性由晶體和外圍電路性能共同決定。而振蕩回路的雜散電容難以確定，以及理想負電阻難以實現，這樣很容易造成晶振不穩定或停振。隨著電子產品高速高穩的需求，最佳匹配的模塊化晶體振蕩器在精密儀器儀表，無線定位，目標跟蹤，宇航通訊等廣泛應用。推出各類功能晶振包括: 差分輸出(D); 電磁排除振蕩器(E); 低抖動(J); 可編程(Q); 可切換頻率(S); 超高頻(H); 超寬溫(W); 低功耗(P).

產品圖片

尺寸

型號

輸出波形

工作電壓

頻率范圍Hz

特種代碼

參數選擇

規格書

2. 5.0x3.2
3. KS508T
4. CMOS
5. 1.8V~3.3V
6. 150.0M~250.0M
7. J Q S H
  相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KD508C
4. HCSL
5. 1.8V~3.3V
6. 150.0M~700.0M
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KJ508D
4. LVDS
5. 1.8V~3.3V
6. 150.0M~2.1G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KJ506D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 100.0M~1.5G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KD506C
4. HCSL
5. 1.8V~3.3V
6. 13.5M~250.0M
7. D
  差分輸出
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KD506D
4. LVDS
5. 1.8V~3.3V
6. 10.0M~1.5G
7. D Q S H
  差分輸出編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KS506T
4. CMOS
5. 2.5V~3.3V
6. 10.0M~245.0M
7. Q S H
  編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KJ50
4. CMOS
5. 1.8V~3.3V
6. 20.0M~50.0M
7. J
  相噪抖動
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KS50
4. CMOS
5. 1.2V~5.0V
6. 0.25M~200.0M
7. -
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KS5032
4. CMOS
5. 1.8V~3.3V
6. 14K~100K
7. P
  低功耗
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KM50
4. CMOS
5. 2.5V~3.3V
6. 3.0M~200.0M
7. M
  擴頻晶振
8. 立即選擇

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